氮(dan)化铝(AlN)是二元Al-N系中,唯一(yi)稳(wen)定的(de)化(hua)(hua)(hua)合物(wu)。在氮化(hua)(hua)(hua)铝的(de)各类性能中,其(qi)热(re)学性能(高(gao)(gao)热(re)导率、热(re)膨胀(zhang)系数)及电学性能(高(gao)(gao)电阻(zu)、绝缘耐压)在众多(duo)陶瓷材(cai)料(liao)中最为(wei)独特(te)。要生产(chan)高(gao)(gao)性能的(de)氮化(hua)(hua)(hua)铝产(chan)品,必须(xu)用(yong)纯度高(gao)(gao)、粒度好、烧结活性好的(de)氮化(hua)(hua)(hua)铝粉(fen)体(ti)作为(wei)原料(liao)。
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图1 氮化铝的(de)主要应用(yong)方向
从氮化铝的化学式AlN中,可以想到制备(bei)氮(dan)(dan)化(hua)(hua)铝粉的(de)思路自(zi)然是氮(dan)(dan)、铝的(de)获取与(yu)合成两(liang)方面。氮(dan)(dan)源一般(ban)来自(zi)于性质稳定可控的(de)氮(dan)(dan)气(化(hua)(hua)学气相沉积或者溶胶-凝胶法中可以直接(jie)采(cai)用(yong)氨(an)气),其实现并不困难(nan),但是(shi)铝(lv)源(yuan)的(de)差异(yi)会带来(lai)不同(tong)制(zhi)备(bei)方法,不同(tong)的(de)铝(lv)源(yuan)带来(lai)不同(tong)的(de)制(zhi)备(bei)工艺。今天小编带大家从铝(lv)源(yuan)角(jiao)度,认识氮化(hua)铝(lv)的(de)主要制(zhi)备(bei)方法。
铝粉氮化铝
Geuther法(直接氮化法)是最早(1862年(nian))出现的氮化铝(lv)(lv)合成方法,是(shi)通过高温(wen)下金(jin)属铝(lv)(lv)与(yu)氮气直接反应生(sheng)产氮化铝(lv)(lv),反应温(wen)度在800-1200℃之间。Geuther法所(suo)需原料丰富,工艺(yi)简单。但是,随着铝粉颗粒的氮化速度加快,表面会逐渐生成氮化物膜,包裹着的铝粉原料内部便再难与氮源接触,导致反应的不充分。这也是直接氮(dan)化(hua)法遇(yu)到(dao)的(de)最为显(xian)著的(de)问题,一般(ban)可(ke)以通过先氮(dan)化(hua),后对氮(dan)化(hua)铝产物(wu)球(qiu)(qiu)磨(mo),使粒径减小(xiao),再(zai)进行二(er)次氮(dan)化(hua)。由于增(zeng)加了球(qiu)(qiu)磨(mo)的(de)过程(cheng),制(zhi)得的(de)氮(dan)化(hua)铝粉氮(dan)化(hua)铝显(xian)著提高,但是纯度、粒度方(fang)面不便于控制(zhi),工(gong)艺周(zhou)期也会显(xian)著加长。
自蔓延高温合成法是近(jin)年来(lai)制备(bei)无机化(hua)(hua)合(he)物的一种(zhong)新(xin)型方法(fa),由于铝粉(fen)与(yu)氮(dan)气的反(fan)应(ying)具(ju)有强放(fang)热(re)特点(dian),可以将铝粉(fen)置于氮(dan)气中点(dian)燃,然(ran)后利用反(fan)应(ying)释放(fang)的热(re)量使反(fan)应(ying)自(zi)行(xing)持续下去,最终(zhong)生产氮(dan)化(hua)(hua)铝,该(gai)反(fan)应(ying)与(yu)铝粉(fen)直接(jie)氮(dan)化(hua)(hua)法(fa)本质(zhi)上没什么不同。
不(bu)同之处在于该反应不(bu)需要保持高(gao)温反应条件,仅需要生产开始时将铝点燃,因(yin)此能耗显著降低(di), 但(dan)是反应需要在高(gao)压环境下进行,又由于过快(kuai)的反应速度(du),使得反应产物易于结块(kuai),反应无法完全(quan)进行,成(cheng)品(pin)纯度(du)低(di),粒径分布(bu)不(bu)均匀。
氧化铝氮化铝
氧化铝碳热还原法,是以超细(xi)氧化铝粉(fen)和高纯度碳黑粉(fen)作为反(fan)应原料,经过球磨混(hun)合均(jun)匀后(hou),比(bi)表面(mian)积增大,然后(hou)在氮气氛围中反(fan)应4-10小(xiao)时,被还原出(chu)的铝(lv)与氮(dan)气作用,生成氮(dan)化(hua)铝(lv)。为了保证反(fan)应(ying)完全,在配料表中往往加入(ru)过(guo)量(liang)的碳,反(fan)应(ying)后(hou)再经过(guo)脱碳处理。
碳热还原法由于使用到的原料为氧化铝粉,氧化铝的诸多晶型成为影响反应进行的重要因素之一。根据日本东芝公司的Tsuge(Tsuge A等,Raw material effect on AlN powder synthesis from Al2O3 carbothermal reduction)的研究成果,γ-氧(yang)化(hua)铝作为铝源时(shi),其反应活性最好(hao),在(zai)1500℃下保温反(fan)应(ying)一(yi)定时间(jian),γ-氧化铝(lv)可(ke)以完全氮化。
表1 Tsuge采用表中不同铝源进行碳热(re)还原反应制备氮(dan)化铝
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铝合金氮化铝
原位自反应合成法采用了(le)与其它制备方法完全不同的思路,是(shi)在反(fan)应过程中,使(shi)氮气先与其它金属进行反(fan)应(最常见的体系是(shi)Mg-Al合(he)(he)金(jin)),再用(yong)单质铝去置(zhi)换其它金(jin)属(shu)元素,得到氮(dan)化(hua)铝。原位自反应(ying)合(he)(he)成法的特点是(shi)(shi)利用(yong)纯(chun)(chun)铝、纯(chun)(chun)镁(mei)(还可加入(ru)二氧化(hua)硅等(deng))配制好铝合(he)(he)金(jin)熔体,在(zai)高温下(xia),镁(mei)会(hui)率先与氮(dan)气(qi)反应(ying)(这(zhei)个(ge)反应(ying)温度是(shi)(shi)远低于铝的氮(dan)化(hua)反应(ying)),然(ran)后和高纯(chun)(chun)氮(dan)气(qi)进(jin)(jin)行反应(ying),由于整个(ge)反应(ying)过(guo)程是(shi)(shi)在(zai)氮(dan)气(qi)氛围内(nei)进(jin)(jin)行,避免了(le)碳热还原法中(zhong)氧元素对产物(wu)的影响,并且反应(ying)温度低,能耗小(xiao)。但是(shi)(shi)最(zui)突出的问(wen)题是(shi)(shi),最终的置换反应,会使得氮化铝粉中难以避免的金属杂质,金属杂质的分离非常困难。
卤化铝、烷基铝氮化铝
化学气相沉积法是将铝(lv)(lv)粉的挥发(fa)(fa)性(xing)化(hua)合物(包括(kuo)卤化(hua)铝(lv)(lv)、烷基铝(lv)(lv))在氮(dan)气氛围下发(fa)(fa)生(sheng)化(hua)学(xue)反应(ying),从气相中沉(chen)淀出氮(dan)化(hua)铝(lv)(lv)粉末。化(hua)学(xue)气相沉(chen)积(ji)法的铝(lv)(lv)源可(ke)以采用(yong)卤化(hua)铝(lv)(lv),也可(ke)以采用(yong)烷基铝(lv)(lv)。这种方(fang)法利用(yong)了反应(ying)物自身能够在蒸(zheng)馏和升华中得(de)到净化(hua),因此制(zhi)得(de)的AlN纯度足够高。但是卤化铝的引(yin)入,在反应过程(cheng)中(zhong)会产生(sheng)HCl副产物,对设(she)备(bei)有腐(fu)蚀作用,烷(wan)基铝(lv)的引入(ru),虽避免了(le)HCl的产(chan)(chan)生(sheng),但成本(ben)显著提高,不利于大规模生(sheng)产(chan)(chan)。
结合各种工艺方法来看,氮化铝的制备途径多样,可以根据铝元素的来源细分为本文所介绍的制备方法,其中,直接氮化法和碳热还原法是目前成功实现工业化生产的两种方法,日本德山公司、美(mei)国DOW化(hua)学等领(ling)先厂家均采用了氧(yang)化(hua)铝碳热还(hai)原法生产氮化(hua)铝。
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图2 日本德山提供的氮化铝粉体性能(neng)表(日本德山)
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图3 日本德(de)山生产的氮化(hua)铝(lv)热导率到180W/m·K,柱(zhu)状图(tu)的表头分别为(wei)基板材(cai)料(liao)、半(ban)导体器件(jian)材(cai)料(liao)、布线材(cai)料(liao)(日本德山)
日本东洋铝业公司则采(cai)用成本相对较低的铝(lv)粉直接氮化(hua)法生产(chan)氮化(hua)铝(lv)粉,性(xing)能也较好,热(re)导率能(neng)稳定在170W/m·K以(yi)上(shang)。
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图4 日(ri)本(ben)东洋(yang)铝业(ye)官网上展示其(qi)生产的(de)供填充用氮(dan)化(hua)铝(左(zuo))和供烧(shao)结用氮(dan)化(hua)铝(右),绝缘、导热的(de)氮(dan)化(hua)铝作(zuo)为(wei)填充材料,可以(yi)与树脂、橡胶混合,提高散热性;作(zuo)为(wei)烧(shao)结原料,可以(yi)制备高性能半导体基板(ban)、LED板
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图(tu)5 东洋(yang)铝业提供的烧结用氮化铝粉体,从(cong)左到右依次为级别、类型、粒径、比表面积、含(han)氧(yang)量、含(han)铁(tie)量、含(han)硅量、含(han)钙量
综合而言(yan),小编在整理资料(liao)的过(guo)程中发现,国内从上世纪(ji)80年代以来便对氮(dan)化铝粉(fen)体制备工艺进行深入研究,相关报道层出不穷,汇(hui)集了(le)一批诸如清(qing)华大学、中科院(yuan)、中电科、北(bei)京钢铁研究总院(yuan)等国内(nei)领先的科研力量(liang)。
表(biao)2 国内(nei)外主要氮化铝(lv)生(sheng)产的(de)氮化铝(lv)对比(bi)
(表格来源:中国(guo)电子科技集团公(gong)司(si)第四十(shi)三研究所,张浩)
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在这之中(zhong),中(zhong)电科43所在(zai)“七五(wu)”期间(jian)采(cai)用(yong)氧(yang)化(hua)铝热还原法(fa)制备了(le)高纯超细(xi)氮(dan)化(hua)铝粉,但(dan)无(wu)批量生(sheng)产能(neng)力(li);安(an)徽合肥开尔(er)公(gong)司(si)采(cai)用(yong)等离子化(hua)学(xue)合成法(fa)制备出(chu)了(le)纳米氮(dan)化(hua)铝粉,但(dan)其成品极易氧(yang)化(hua),仅能(neng)作为添加剂,无(wu)法(fa)进行烧(shao)结成型;北京钢铁研究(jiu)总院采(cai)用(yong)自蔓延法(fa)生(sheng)产的氮(dan)化(hua)铝,热导率最高能(neng)做到140W/m·K,仍显著落后(hou)于国外先进(jin)厂(chang)家(jia),仅能作为钢铁行(xing)业的填料(liao)。可(ke)喜的是(shi),在国瓷材(cai)料(liao)最新(xin)披露的2019年中报中,看(kan)到其透露(lu)120吨高性能氮化(hua)铝(lv)粉体实现量产(chan)的简要(yao)信(xin)息,希望这(zhei)是国内高端(duan)氮化(hua)铝(lv)生产(chan)的一个(ge)良好(hao)开(kai)端(duan)。
参考文献
Tsuge A,Inoue H,Kasori M,et al. Raw material effect on AlN powder synthesis from Al2O3 carbo thermal reduction[J]. Journal of Materials Science, 1990, 25(5): 2359-2361.
原位合成AlN粉体,北京工业大学,王群,林志浪,周美(mei)玲(ling),郑新和。
原位(wei)反应生成氮化铝的(de)研究,清华大学,金海(hai)波,陈克新,周和平,东北大学,邹宗树,王文忠。
氧化铝碳(tan)热(re)还原氮化的机理研究,昆明理工大学(xue),张(zhang)笑。
AlN粉体(ti)的(de)合成(cheng)与(yu)烧结机制研究,浙江工业大学,陈淑文。
一种氮(dan)化铝多孔(kong)陶瓷及其制(zhi)备方法,西安(an)交通大学,杨(yang)建锋,鲁元,陆伟忠,刘荣臻,乔冠军,王红洁。
一种高纯氮化铝粉体及其(qi)制(zhi)备方(fang)法,杨志平,路亚(ya)娟(juan),许明亮(liang),赵金鑫。
高性能氮化铝粉体技(ji)术(shu)发展现(xian)状,中国(guo)电子科(ke)技(ji)集团公(gong)司,张洁,崔嵩,何金奇。
By:火宣(xuan)